Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFS4D7N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS4D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D7N04XMT1G
Price: 3.51 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFS4D7N04XMT1G

Nr prod.:

NTMFS4D7N04XMT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTMFS4D7N04XMT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFS4D7N04XMT1G

Na stanie magazynowym: 1 050

Stany magazynowe:: 1 050 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,51 zł	3,51 zł
	2,18 zł	21,80 zł
	1,42 zł	142,00 zł
	1,10 zł	550,00 zł
	0,937 zł	937,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	0,86 zł	1 290,00 zł
	0,77 zł	2 310,00 zł
	0,722 zł	6 498,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	66 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	10.4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	38 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	3.81 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	45.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.13 ns
Seria:	NTMFS4D7N04XM
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	16.3 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFS4D7N04XMT1G Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.