NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS0D6N04XMT1G
NTMFS0D6N04XMT1G

Produc.:

Opis:
MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NTMFS0D6N04XMT1G

Na stanie magazynowym: 4 016

Stany magazynowe:
4 016
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
1 500
Oczekiwane: 17.04.2026
Średni czas produkcji:
34
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
11,05 zł 11,05 zł
7,22 zł 72,20 zł
4,99 zł 499,00 zł
4,14 zł 2 070,00 zł
3,55 zł 3 550,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
3,52 zł 5 280,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
380 A
570 uOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
86.4 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 15.3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 175 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 15.6 ns
Seria: NTMFS0D6N04XM
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 58.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 33.9 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Technologia PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.