Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFS008N12MCT1G

Name: onsemi NTMFS008N12MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS008N12MCT1G
Price: 9.37 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFS008N12MCT1G

Nr prod.:

NTMFS008N12MCT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 120V SG

Karta charakterystyki:

NTMFS008N12MCT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFS008N12MCT1G

Na stanie magazynowym: 1 194

Stany magazynowe:: 1 194 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 1194 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	9,37 zł	9,37 zł
	6,19 zł	61,90 zł
	4,90 zł	490,00 zł
	4,47 zł	2 235,00 zł
	3,81 zł	3 810,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	3,78 zł	5 670,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8FL-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	120 V
Id – Ciągły prąd drenu:	79 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	33 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	102 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NTMFS008N12MC
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFS008N12MCT1G Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low R_DS(on) and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.