Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTH4L012N065M3S

Name: onsemi NTH4L012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L012N065M3S
Price: 73.79 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTH4L012N065M3S

Nr prod.:

NTH4L012N065M3S

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTH4L012N065M3S Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTH4L012N065M3S

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 450

Oczekiwane: 06.03.2026
Średni czas produkcji:: 53

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	73,79 zł	73,79 zł
	60,67 zł	606,70 zł
	52,46 zł	6 295,20 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	102 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	17 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	135 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	375 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	12 ns
Opakowanie:	Tube
Produkt:	SiC MOSFET
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	23 ns
Seria:	NTH4L012N065M3S
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	49 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTH4L012N065M3S Karta charakterystyki (PDF)

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).