Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTD5C632NLT4G

Name: onsemi NTD5C632NLT4G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTD5C632NLT4G
Price: 7.65 PLN
Availability: InStock

Nr Mouser:

863-NTD5C632NLT4G

Nr prod.:

NTD5C632NLT4G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T6 60V LL DPAK

Karta charakterystyki:

NTD5C632NLT4G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTD5C632NLT4G

Na stanie magazynowym: 2 014

Stany magazynowe:: 2 014 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	7,65 zł	7,65 zł
	4,90 zł	49,00 zł
	3,31 zł	331,00 zł
	2,63 zł	1 315,00 zł
	2,44 zł	2 440,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	2,32 zł	5 800,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	155 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.1 V
Qg – ładunek bramki:	78 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	115 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	VN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NTD5C632NL
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTD5C632NLT4G Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification_2024_12_18 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTD5Cx Power MOSFETs

onsemi NTD5Cx Power MOSFETs are single N-Channel MOSFETs with low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs offer 40V and 60V Drain Source Voltage (V_DS). The NTD5Cx power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating and junction temperature range. These NTD5Cx MOSFETs are Pb-free, halogen-free/BFR-free, and RoHS-compliant devices.