Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTBGS6D5N15MC

Name: onsemi NTBGS6D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBGS6D5N15MC
Price: 20.9 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTBGS6D5N15MC

Nr prod.:

NTBGS6D5N15MC

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL

Karta charakterystyki:

NTBGS6D5N15MC Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTBGS6D5N15MC

Na stanie magazynowym: 1 213

Stany magazynowe:: 1 213 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	20,90 zł	20,90 zł
	14,75 zł	147,50 zł
	12,77 zł	1 277,00 zł
	12,38 zł	6 190,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	12,38 zł	9 904,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	121 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	57 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	238 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NTBGS6D5N15MC
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	4,675 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTBGS6D5N15MC Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs

onsemi NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs feature 150V drain-to-source voltage (V_(BR)DSS) and low switching noises/EMI. These devices offer low Q_G and capacitance to minimize driver losses and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC MOSFETs are available in a Pb-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant D²PAK7 package. Typical applications include power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, home automation, industrial forklifts, and traction control systems.