NSVMUN5213DW1T3G

onsemi
863-NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G

Produc.:

Opis:
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 6 498

Stany magazynowe:
6 498
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
10 000
Oczekiwane: 18.12.2026
Średni czas produkcji:
29
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
0,998 zł 1,00 zł
0,611 zł 6,11 zł
0,383 zł 38,30 zł
0,28 zł 140,00 zł
0,224 zł 224,00 zł
0,194 zł 970,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
0,172 zł 1 720,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Tranzystory cyfrowe
RoHS:  
Dual
NPN
47 kOhms
1
SMD/SMT
SOT-363-6
80
50 V
100 mA
250 mW
- 55 C
+ 150 C
MUN5213DW1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Zakres temperatury roboczej: - 55 C to + 150 C
Rodzaj produktu: Digital Transistors
Kwalifikacje: AEC-Q101
Wielkość opakowania producenta: 10000
Podkategoria: Transistors
Jednostka masy: 6,200 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Dual NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi Dual NPN Bipolar Digital Transistors are designed to replace a single device and the additional external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors (a series base resistor and a base-emitter resistor). By integrating these individual components into a single device, the BRT on these onsemi NPN Bipolar Digital Transistors simplifies circuit design and eliminates them. A BRT also reduces system cost and board space.