Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NSS40302PDR2G

Name: onsemi NSS40302PDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS40302PDR2G
Price: 6.71 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NSS40302PDR2G

Nr prod.:

NSS40302PDR2G

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

Karta charakterystyki:

NSS40302PDR2G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NSS40302PDR2G

Na stanie magazynowym: 5 886

Stany magazynowe:: 5 886 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	6,71 zł	6,71 zł
	4,25 zł	42,50 zł
	2,86 zł	286,00 zł
	2,26 zł	1 130,00 zł
	2,06 zł	2 060,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,82 zł	4 550,00 zł
	1,75 zł	17 500,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-8
Polaryzacja tranzystora:	NPN, PNP
Konfiguracja:	Dual
Maksymalny prąd DC kolektora:	3 A
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	40 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	40 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	6 V, 7 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	82 mV, 135 mV
Pd – strata mocy:	783 mW
Wzmacniacze GBP fT:	100 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	NSS40302PD
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	200 at 10 mA, 2 V
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	143 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NSS40302PDR2G Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.