NSS40300MDR2G Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Maksymalny prąd DC kolektora Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie kolektor-baza VCBO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
onsemi Bipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP 2 356Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 135 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40300MD Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated NSS40300MDR2G
Diodes Incorporated Tranzystory bipolarne - BJT N/A
Si PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C