NSS12100UW3TCG Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Maksymalny prąd DC kolektora Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie kolektor-baza VCBO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
onsemi Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3 2 800Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WDFN3 PNP Single 1 A 12 V 12 V 5 V 400 mV 1.1 W 200 MHz - 55 C + 150 C NSS12100UW Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated NSS12100UW3TCG
Diodes Incorporated Tranzystory bipolarne - BJT N/A
Si PNP Single 1 A 12 V 12 V 5 V 1.1 W 200 MHz - 55 C + 150 C