MWT-LN600

CML Micro
938-MWT-LN600
MWT-LN600

Produc.:

Opis:
RF MOSFET Transistors Low Noise pHEMT Devices

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 100

Stany magazynowe:
100 Wysylamy natychmiast
Ilości większe niż 100 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 10   Wielokrotności: 10
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
128,74 zł 1 287,40 zł
120,06 zł 30 015,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
CML Micro
Kategoria produktów: Tranzystory MOSFET RF
RoHS:  
GaAs
175 mA
4.5 V
26 GHz
8 dB, 11 dB
20 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Marka: CML Micro
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 300 mS
Pd – strata mocy: 500 mW
Rodzaj produktu: RF MOSFET Transistors
Seria: MWT
Wielkość opakowania producenta: 10
Podkategoria: MOSFETs
Nazwa handlowa: MWT-LN600
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541210040
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.