MWT-LN300

CML Micro
938-MWT-LN300
MWT-LN300

Produc.:

Opis:
RF MOSFET Transistors Low Noise pHEMT Devices

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o CML Micro MWT-LN300

Na stanie magazynowym: 50

Stany magazynowe:
50 Wysylamy natychmiast
Ilości większe niż 50 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 10   Wielokrotności: 10
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10)
124,27 zł 1 242,70 zł
119,11 zł 11 911,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
CML Micro
Kategoria produktów: Tranzystory MOSFET RF
GaAs
120 mA
4 V
26 GHz
10 dB, 13 dB
16 dBm
+ 150 C
Die
Reel
Marka: CML Micro
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 160 mS
Pd – strata mocy: 300 mW
Rodzaj produktu: RF MOSFET Transistors
Seria: MWT
Wielkość opakowania producenta: 10
Podkategoria: MOSFETs
Nazwa handlowa: MWT-LN300
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Other

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.