MURTA40060R

Name: Navitas Semiconductor MURTA40060R
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-MURTA40060R
Price: 519.96 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

905-MURTA40060R

Nr prod.:

MURTA40060R

Produc.:

GeneSiC Semiconductor

Opis:

Diode Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery

Karta charakterystyki:

MURTA40060R Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 10 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 24 Wielokrotności: 24

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	519,96 zł	12 479,04 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Navitas Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły diodowe
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	Three Tower Iso
Vr – napięcie wsteczne:	600 V
If – prąd przewodzenia diody:	400 A
Rodzaj:	Super Fast Recovery
Konfiguracja:	Dual-Common Anode
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.7 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Bulk
Marka:	GeneSiC Semiconductor
Rodzaj produktu:	Diode Modules
Wielkość opakowania producenta:	24
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Technologia:	Si

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MURTA40060R Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

MURT400x Silicon Super Fast Recovery Diodes

GeneSiC Semiconductor MURT400x silicon super fast recovery diodes provide high surge capability and repetitive peak reverse voltage of up to 600V. GeneSiC MURT400x silicon super fast recovery diodes come in a three tower package and feature continuous forward current of 400A. These GeneSiC Semiconductor silicon super fast recovery diodes provide an operating temperature of -40ºC to +175°C.