MUN5213DW1T1G

onsemi
863-MUN5213DW1T1G
MUN5213DW1T1G

Produc.:

Opis:
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 28 327

Stany magazynowe:
28 327
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
21 000
Oczekiwane: 02.03.2026
Średni czas produkcji:
42
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
0,886 zł 0,89 zł
0,546 zł 5,46 zł
0,344 zł 34,40 zł
0,249 zł 124,50 zł
0,224 zł 224,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,181 zł 543,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
0,89 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Tranzystory cyfrowe
RoHS:  
Dual
NPN
47 kOhms
1
SMD/SMT
SOT-363(PB-Free)-6
80
50 V
100 mA
100 mA
256 mW
- 55 C
+ 150 C
MUN5213DW1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Rodzaj produktu: Digital Transistors
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Jednostka masy: 28 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Dual NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi Dual NPN Bipolar Digital Transistors are designed to replace a single device and the additional external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors (a series base resistor and a base-emitter resistor). By integrating these individual components into a single device, the BRT on these onsemi NPN Bipolar Digital Transistors simplifies circuit design and eliminates them. A BRT also reduces system cost and board space.