MT46V64M8P-5B:J

Micron
340-122948-TRAY
MT46V64M8P-5B:J

Produc.:

Opis:
DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT

Cykl życia:
Weryfikacja statusu w fabryce:
Informacje dotyczące cyklu życia są niejednoznaczne. Zleć zapytanie ofertowe, aby zweryfikować dostępność tego numeru części u producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 720

Stany magazynowe:
720 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 720 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 720
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
28,94 zł 28,94 zł
26,92 zł 269,20 zł
26,14 zł 653,50 zł
25,50 zł 1 275,00 zł
24,94 zł 2 494,00 zł
24,25 zł 6 062,50 zł
23,01 zł 11 505,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Micron Technology
Kategoria produktów: Pamięć DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
8 bit
200 MHz
TSOP-66
64 M x 8
700 ps
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
MT46V
Tray
Marka: Micron
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: TW
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Rodzaj produktu: DRAM
Wielkość opakowania producenta: 1080
Podkategoria: Memory & Data Storage
Prąd zasilania – max.: 85 mA
Jednostka masy: 9,140 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Pamięć SDRAM DDR

Pamięć SDRAM DDR firmy Mikron umożliwia zastosowania związane z przesyłaniem danych na rosnących i opadających zboczach sygnału zegarowego. Przyczynia się to do podwojenia szerokości pasma i poprawia parametry pracy w porównaniu z SDRAM SDR. W celu osiągnięcia tej funkcjonalności firma Micron wykorzystuje architekturę pobierania wstępnego 2n, w której wewnętrzna magistrala danych jest dwukrotnie większa niż zewnętrzna magistrala danych, zatem przechwytywanie danych może zachodzić dwa razy w każdym cyklu zegara.