Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MSCSM120HM31CTBL2NG

Name: Microchip MSCSM120HM31CTBL2NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-SM120HM31CTBL2NG
Price: 814.03 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

579-SM120HM31CTBL2NG

Nr prod.:

MSCSM120HM31CTBL2NG

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

Karta charakterystyki:

MSCSM120HM31CTBL2NG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Microchip Technology MSCSM120HM31CTBL2NG

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 3 Wielokrotności: 3

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	814,03 zł	2 442,09 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Rodzaj:	Full Bridge
Technologia:	SiC
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 25 V
Styl mocowania:	Screw Mount
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Marka:	Microchip Technology
Konfiguracja:	Full Bridge
Czas zanikania:	25 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	79 A
Pd – strata mocy:	310 W
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On – rezystancja dren–źródło:	31 mOhms
Czas narastania:	30 ns
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete Semiconductor Modules
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.8 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MSCSM120HM31CTBL2NG Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET Power Modules

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET Power Modules are high-efficiency converters that feature Si₃N₄ substrate with thick copper for improved thermal performance. These modules offer a low profile, direct mounting to the heatsink (isolated package), an internal thermistor for temperature monitoring, and an extended temperature range. The MSCSM120x modules operate at 1.2kV reverse voltage (V_R), -10V to 25V gate-source voltage range (V_GS), 310W/560W power dissipation (P_D), and 79A/150A continuous drain current (I_D). These modules are used in applications such as high-reliability power systems, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, motor control, and AC switches.