Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MSCGLQ50DH120CTBL2NG

Name: Microchip MSCGLQ50DH120CTBL2NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-LQ50DH120CTBL2NG
Price: 427.51 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

579-LQ50DH120CTBL2NG

Nr prod.:

MSCGLQ50DH120CTBL2NG

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL2

Karta charakterystyki:

MSCGLQ50DH120CTBL2NG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Microchip Technology MSCGLQ50DH120CTBL2NG

Na stanie magazynowym: 7

Stany magazynowe:: 7 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 7 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	427,51 zł	427,51 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły IGBT
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguracja:	Asymmetrical Bridge
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	2.4 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	110 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	150 nA
Pd – strata mocy:	375 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Marka:	Microchip Technology
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Styl mocowania:	Screw Mount
Rodzaj produktu:	IGBT Modules
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	IGBTs
Technologia:	Si

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MSCGLQ50DH120CTBL2NG Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (V_CES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.