Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MSC080SMB120B4N

Name: Microchip MSC080SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMB120B4N
Price: 23.22 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

579-MSC080SMB120B4N

Nr prod.:

MSC080SMB120B4N

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

MSC080SMB120B4N Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Microchip Technology MSC080SMB120B4N

Na stanie magazynowym: 81

Stany magazynowe:: 81 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 3 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	23,22 zł	23,22 zł
	21,41 zł	642,30 zł
	18,62 zł	2 234,40 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	107 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 21 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	34 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	161 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Microchip Technology
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	8 ns
Opakowanie:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	8 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	17 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MSC080SMB120B4N Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-1-9 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.