Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MRFE6VP5600HR5

Name: NXP MRFE6VP5600HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP5600HR5
Price: 2734.11 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

841-MRFE6VP5600HR5

Nr prod.:

MRFE6VP5600HR5

Produc.:

NXP Semiconductors

Opis:

RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H

Karta charakterystyki:

MRFE6VP5600HR5 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR5

Na stanie magazynowym: 50

Stany magazynowe:: 50 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2 734,11 zł	2 734,11 zł
	2 399,66 zł	23 996,60 zł
	2 386,29 zł	59 657,25 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)
	2 267,91 zł	113 395,50 zł
100	Oferta

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	NXP
Kategoria produktów:	Tranzystory MOSFET RF
RoHS:
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Technologia:	Si
Id – Ciągły prąd drenu:	2 A
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	130 V
Częstotliwość robocza:	1.8 MHz to 600 MHz
Wzmocnienie:	25 dB
Moc wyjściowa:	600 W
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	NI-1230
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	NXP Semiconductors
Pd – strata mocy:	1.667 kW
Rodzaj produktu:	RF MOSFET Transistors
Seria:	MRFE6VP5600H
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	MOSFETs
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	+ 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.7 V
Nazwy umowne nr części:	935310538178
Jednostka masy:	13,155 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MRFE6VP5600HR5 Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.