MR2A08ACMA35

Everspin Technologies
936-MR2A08ACMA35
MR2A08ACMA35

Produc.:

Opis:
MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 600

Stany magazynowe:
600 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
130,38 zł 130,38 zł
120,66 zł 1 206,60 zł
116,79 zł 2 919,75 zł
113,91 zł 5 695,50 zł
111,07 zł 11 107,00 zł
106,04 zł 26 510,00 zł
105,22 zł 36 616,56 zł
2 784 Oferta

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Everspin Technologies
Kategoria produktów: Pamięć MRAM
RoHS:  
REACH - SVHC:
BGA-48
Parallel
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
30 mA, 90 mA
- 40 C
+ 85 C
MR2A08A
Tray
Marka: Everspin Technologies
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Pd – strata mocy: 600 mW
Rodzaj produktu: MRAM
Wielkość opakowania producenta: 348
Podkategoria: Memory & Data Storage
Nazwa handlowa: Parallel I/O (x8)
Jednostka masy: 3 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.