MR25H128AMDF

Everspin Technologies
936-MR25H128AMDF
MR25H128AMDF

Produc.:

Opis:
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 216

Stany magazynowe:
216 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
53,15 zł 53,15 zł
49,36 zł 493,60 zł
47,86 zł 1 196,50 zł
47,60 zł 2 380,00 zł
40,42 zł 23 039,40 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Everspin Technologies
Kategoria produktów: Pamięć MRAM
RoHS:  
DFN-8
SPI
128 kbit
16 k x 8
8 bit
2.7 V
3.6 V
6 mA, 23 mA
- 40 C
+ 125 C
MR25H128A
Tray
Marka: Everspin Technologies
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Pd – strata mocy: 600 mW
Rodzaj produktu: MRAM
Wielkość opakowania producenta: 570
Podkategoria: Memory & Data Storage
Nazwa handlowa: Serial I/O (SPI)
Jednostka masy: 5,163 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.