MR25H128ACDFR

Everspin Technologies
936-MR25H128ACDFR
MR25H128ACDFR

Produc.:

Opis:
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 4000   Wielokrotności: 4000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4000)
17,59 zł 70 360,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Tray
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
20,73 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Everspin Technologies
Kategoria produktów: Pamięć MRAM
RoHS:  
DFN-8
SPI
128 kbit
16 k x 8
8 bit
2.7 V
3.6 V
6 mA, 23 mA
- 40 C
+ 85 C
MR25H128A
Reel
Marka: Everspin Technologies
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Pd – strata mocy: 600 mW
Rodzaj produktu: MRAM
Wielkość opakowania producenta: 4000
Podkategoria: Memory & Data Storage
Nazwa handlowa: Serial I/O (SPI)
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.