MR20H40CDF

Everspin Technologies
936-MR20H40CDF
MR20H40CDF

Produc.:

Opis:
MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Everspin Technologies MR20H40CDF

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Everspin Technologies
Kategoria produktów: Pamięć MRAM
RoHS:  
DFN-8
SPI
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
20 ns
3 V
3.6 V
13.8 mA, 33 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
MR20H40
Tray
Marka: Everspin Technologies
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Pd – strata mocy: 600 mW
Rodzaj produktu: MRAM
Wielkość opakowania producenta: 570
Podkategoria: Memory & Data Storage
Nazwa handlowa: Serial I/O (SPI)
Jednostka masy: 37,400 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
854232031
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Tajwan
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
1 140
Oczekiwane: 19.05.2027
Średni czas produkcji:
26
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
130,50 zł 130,50 zł
120,78 zł 1 207,80 zł
116,91 zł 2 922,75 zł
114,05 zł 5 702,50 zł
111,10 zł 11 110,00 zł
107,40 zł 26 850,00 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Masz pytanie? Odwiedź Centrum pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, zaloguj się na swoje konto.

W przypadku wystąpienia dalszych problemów skontaktuj się z nami pod numerem 800-346-6873 lub napisz na adres help@mouser.com.