MMBT5551W_R1_00701 Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie kolektor-baza VCBO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Panjit Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 29 441Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MMBT5551W-R1-00701
Panjit Tranzystory bipolarne - BJT N/A