Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

MJK32CTWG

Name: onsemi MJK32CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-MJK32CTWG
Price: 5.63 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-MJK32CTWG

Nr prod.:

MJK32CTWG

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT PNP BIP LFPAK4 3A 100V TR PNP

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

MJK32CTWG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi MJK32CTWG

Na stanie magazynowym: 2 974

Stany magazynowe:: 2 974 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 17 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,63 zł	5,63 zł
	5,29 zł	529,00 zł
	4,18 zł	2 090,00 zł
	3,92 zł	3 920,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,44 zł	4 320,00 zł
	1,34 zł	8 040,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LFPAK-4
Polaryzacja tranzystora:	PNP
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	100 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	5 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.2 V
Pd – strata mocy:	2.7 W
Wzmacniacze GBP fT:	3 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 65 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	MJK32CT
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora:	- 3 A
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	10
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	60
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MJK32CTWG Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJK31CT General Purpose & Low VCE(sat) Transistors

onsemi MJK31CT General Purpose and Low V_CE(sat) Transistors are ideal for power and switching applications in various industries. The onsemi MJK31CT devices are versatile enough for regulators, converters, and power amplifiers. The transistors' compact and advanced LFPAK package (5mm x 6mm) offers excellent thermal conduction for demanding automotive applications. These applications include airbag deployment, power train control units, and instrument clusters.