Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

MJD41CQ-13

Name: Diodes Incorporated MJD41CQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD41CQ-13
Price: 3.55 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-MJD41CQ-13

Nr prod.:

MJD41CQ-13

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Karta charakterystyki:

MJD41CQ-13 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated MJD41CQ-13

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 395

Oczekiwane: 29.04.2026
Średni czas produkcji:: 40

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,55 zł	3,55 zł
	2,21 zł	22,10 zł
	1,44 zł	144,00 zł
	1,11 zł	555,00 zł
	1,00 zł	1 000,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	0,89 zł	2 225,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-252-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	100 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	120 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	7 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.5 V
Pd – strata mocy:	2.7 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Kwalifikacje:	AEC-Q100
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Diodes Incorporated
Ciągły prąd kolektora:	6 A
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	15
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MJD41CQ-13 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-15 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.