Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

MJD31CHQ-13

Name: Diodes Incorporated MJD31CHQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD31CHQ-13
Price: 3 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-MJD31CHQ-13

Nr prod.:

MJD31CHQ-13

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Karta charakterystyki:

MJD31CHQ-13 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated MJD31CHQ-13

Na stanie magazynowym: 1 083

Stany magazynowe:: 1 083 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 40 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,00 zł	3,00 zł
	1,86 zł	18,60 zł
	1,21 zł	121,00 zł
	0,925 zł	462,50 zł
	0,834 zł	834,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	0,727 zł	1 817,50 zł
	0,636 zł	3 180,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-252-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	100 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	120 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	7 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.2 V
Pd – strata mocy:	2.6 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Kwalifikacje:	AEC-Q100
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Diodes Incorporated
Ciągły prąd kolektora:	3 A
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	10 V
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MJD31CHQ-13 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-15 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.