MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Produc.:

Opis:
Gate Drivers High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics MASTERGAN4

Na stanie magazynowym: 115

Stany magazynowe:
115 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 115 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
42,10 zł 42,10 zł
32,38 zł 323,80 zł
30,27 zł 756,75 zł
27,48 zł 2 748,00 zł
26,23 zł 6 557,50 zł
25,20 zł 12 600,00 zł
23,26 zł 23 260,00 zł
2 500 Oferta

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marka: STMicroelectronics
Funkcje: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Napięcie wejściowe – maks.: 15 V
Napięcie wejściowe – min.: 3.3 V
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Rds On – rezystancja dren–źródło: 225 mOhms
Wielkość opakowania producenta: 1560
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Jednostka masy: 150 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.