MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 274

Stany magazynowe:
1 274 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
26,40 zł 26,40 zł
20,38 zł 203,80 zł
18,88 zł 472,00 zł
17,24 zł 1 724,00 zł
16,43 zł 4 107,50 zł
15,95 zł 7 975,00 zł
15,57 zł 15 570,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
15,05 zł 45 150,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Marka: STMicroelectronics
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 45 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 45 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 10 A
Pd – strata mocy: 40 mW
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 70 ns
Rds On – rezystancja dren–źródło: 330 mOhms
Zakończenie pracy: Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.