MASTERGAN1L

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1L
MASTERGAN1L

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
32,59 zł 32,59 zł
24,42 zł 244,20 zł
23,31 zł 582,75 zł
20,21 zł 2 021,00 zł
19,31 zł 4 827,50 zł
17,59 zł 8 795,00 zł
15,74 zł 15 740,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
26,40 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marka: STMicroelectronics
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Pd – strata mocy: 40 mW
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 70 ns
Wielkość opakowania producenta: 1560
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.