LF2113BTR

IXYS Integrated Circuits
747-LF2113BTR
LF2113BTR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers HI LO Side DRVR 600V 2A SOIC-16

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 853

Stany magazynowe:
2 853 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
9,55 zł 9,55 zł
7,14 zł 71,40 zł
6,49 zł 162,25 zł
5,85 zł 585,00 zł
5,50 zł 1 375,00 zł
5,38 zł 2 690,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
5,38 zł 8 070,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
IXYS
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
2 Output
10 V
20 V
15 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: IXYS Integrated Circuits
Rodzaj logiki: CMOS
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 94 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 105 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 56 uA
Pd – strata mocy: 1.25 W
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 20 ns
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Gate Drivers for N-Channel MOSFETs & IGBTs

IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs include high-voltage high-speed gate drivers and three-phase gate driver ICs. These devices are designed to drive two N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration or high-side / low-side configuration. The high-voltage technology enables the high side to switch to 600V in a bootstrap operation. The drivers provide feature high pulse current buffers designed for minimum driver cross conduction. Other features include logic inputs with 3.3V capability, Schmitt triggered logic inputs, and undervoltage lockout (UVLO) protection. IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs operate over an extended temperature range of -40°C to +125°C.

High-Side & Low-Side Gate Driver ICs

IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs offer 600mA/290mA to 4.5A/4.5A sink/source output current capabilities. The devices feature a wide operating voltage range of 10V to 20V. Protections include undervoltage lockout (UVLO) and shoot-through. IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs operate in a -40°C to +125°C temperature range and are available in SOIC-8, -14, -16 industry-standard packages and pin-outs.