KTDM4G4B826BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGCEAT
Price: 40.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

473-M4G4B826BGCEAT

Nr prod.:

KTDM4G4B826BGCEAT

Produc.:

SMARTsemi

Opis:

DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial

Karta charakterystyki:

KTDM4G4B826BGCEAT Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SMARTsemi KTDM4G4B826BGCEAT

Na stanie magazynowym: 198

Stany magazynowe:: 198 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 198 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	40,38 zł	40,38 zł
	37,54 zł	375,40 zł
	36,38 zł	909,50 zł
	35,52 zł	1 776,00 zł
	34,66 zł	3 466,00 zł
	33,54 zł	7 043,40 zł
	32,68 zł	13 725,60 zł
	31,82 zł	33 411,00 zł
2 520	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SMART
Kategoria produktów:	Pamięć DRAM
RoHS:
Rodzaj:	SDRAM - DDR4
Wielkość pamięci:	4 Gbit
Szerokość magistrali danych:	8 bit
Maksymalna częstotliwość zegara:	1.333 GHz
Opakowanie/obudowa:	FBGA-78
Organizacja:	512 M x 8
Napięcie zasilania – min.:	1.14 V
Napięcie zasilania – max.:	1.26 V
Minimalna temperatura robocza:	0 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
Seria:	KTDM
Opakowanie:	Tray
Marka:	SMARTsemi
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TW
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Styl mocowania:	SMD/SMT
Rodzaj produktu:	DRAM
Wielkość opakowania producenta:	210
Podkategoria:	Memory & Data Storage

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

KTDM4G4B826BGCEAT Karta charakterystyki (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).