KTDM4G3C618BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C618BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C618BGCEAT
Price: 39.82 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

473-M4G3C618BGCEAT

Nr prod.:

KTDM4G3C618BGCEAT

Produc.:

SMARTsemi

Opis:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial

Karta charakterystyki:

KTDM4G3C618BGCEAT Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SMARTsemi KTDM4G3C618BGCEAT

Na stanie magazynowym: 3 923

Stany magazynowe:: 3 923 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 3923 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	39,82 zł	39,82 zł
	38,79 zł	387,90 zł
	32,94 zł	6 522,12 zł
	32,12 zł	19 079,28 zł
	31,86 zł	37 849,68 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SMART
Kategoria produktów:	Pamięć DRAM
RoHS:
Rodzaj:	SDRAM - DDR3L
Wielkość pamięci:	4 Gbit
Szerokość magistrali danych:	16 bit
Maksymalna częstotliwość zegara:	933 MHz
Opakowanie/obudowa:	FBGA-96
Organizacja:	256 M x 16
Napięcie zasilania – min.:	1.283 V
Napięcie zasilania – max.:	1.575 V
Minimalna temperatura robocza:	0 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
Seria:	KTDM
Opakowanie:	Tray
Marka:	SMARTsemi
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Styl mocowania:	SMD/SMT
Rodzaj produktu:	DRAM
Wielkość opakowania producenta:	198
Podkategoria:	Memory & Data Storage

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

KTDM4G3C618BGCEAT Karta charakterystyki (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.