IXYK140N120A4

IXYS
747-IXYK140N120A4
IXYK140N120A4

Produc.:

Opis:
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o IXYS IXYK140N120A4

Na stanie magazynowym: 2 921

Stany magazynowe:
2 921 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
32 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
162,63 zł 162,63 zł
117,05 zł 1 170,50 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
IXYS
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-264-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
480 A
1.5 kW
- 55 C
+ 175 C
Trench
Tube
Marka: IXYS
Ciągły prąd kolektora – Ic max.: 480 A
Prąd upływowy bramka–emiter: 200 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 25
Podkategoria: IGBTs
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Trench 650V to 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS Trench 650V to 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs are developed using a proprietary XPT thin-wafer technology and a state-of-the-art 4th generation (GenX4™) trench IGBT process. These insulated-gate bipolar transistors feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. The devices exhibit exceptional ruggedness during switching and under short-circuit conditions.

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs are the 4th generation Trench IGBTs that feature XPT thin-wafer technology. These ultra-low VSAT IGBT transistors support switching frequencies up to 5kHz and are optimized for low conduction losses. The IXYxN120A IGBTs offer advantages such as high power density, a low gate drive requirement, and an operating temperature from -55°C to +175°C. These transistors come in TO-247 and TO-269HV packages, each featuring a voltage of 1200V and a current of 55A or 85A. The IXYxN120A IGBTs are used in applications such as power inverters, motor drives, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, and inrush current protector circuits.

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.