Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

IXTB500N20X4

Name: IXYS IXTB500N20X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTB500N20X4
Price: 132.7 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXTB500N20X4

Nr prod.:

IXTB500N20X4

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFETs 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IXTB500N20X4 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS IXTB500N20X4

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 300

Oczekiwane: 18.05.2026

300

Oczekiwane: 10.11.2026
Średni czas produkcji:: 47

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 600 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	132,70 zł	132,70 zł
	115,28 zł	1 152,80 zł
	100,79 zł	10 079,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	200 V
Id – Ciągły prąd drenu:	400 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.65 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	535 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	1.56 kW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	485 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	560 ns
Wielkość opakowania producenta:	25
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	600 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	200 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IXTB500N20X4 Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000

Tranzystory mocy MOSFET X4-Class

IXYS X4-Class Power MOSFETs offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency. These power MOSFETs come in a PLUS package, enabling higher nominal current rating and increased power density. The X4-Class power MOSFETs are pin compatible with the standard TO-247 package and are easy to upgrade from existing designs for higher power output. These power MOSFETs feature low gate charge and low thermal resistance. Typical applications include DC load switch, battery protection, battery OR-ing, battery energy storage systems, and DC/DC buck-boost converters.