Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

IXSH100N65L2KHV

Name: IXYS IXSH100N65L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH100N65L2KHV
Price: 41.88 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXSH100N65L2KHV

Nr prod.:

IXSH100N65L2KHV

Produc.:

IXYS

Opis:

SiC MOSFETs 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IXSH100N65L2KHV Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS IXSH100N65L2KHV

Na stanie magazynowym: 550

Stany magazynowe:: 550 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	41,88 zł	41,88 zł
	32,16 zł	321,60 zł
	23,39 zł	2 339,00 zł
	20,30 zł	18 270,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4L
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	99 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	33 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	125 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	454 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	11.7 ns
Opakowanie:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	26.5 ns
Wielkość opakowania producenta:	450
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	23.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12.9 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IXSH100N65L2KHV Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).