Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

IXFH70N65X3

Name: IXYS IXFH70N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH70N65X3
Price: 54.48 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFH70N65X3

Nr prod.:

IXFH70N65X3

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFETs Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247

Karta charakterystyki:

IXFH70N65X3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS IXFH70N65X3

Na stanie magazynowym: 956

Stany magazynowe:: 956 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 41 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 956 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	54,48 zł	54,48 zł
	34,92 zł	349,20 zł
	33,33 zł	3 999,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	70 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	44 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.2 V
Qg – ładunek bramki:	66 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	780 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	13 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	26 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	8 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	88 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	29 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IXFH70N65X3 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.