Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

IXFH54N65X3

Name: IXYS IXFH54N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH54N65X3
Price: 47.73 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFH54N65X3

Nr prod.:

IXFH54N65X3

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS

Karta charakterystyki:

IXFH54N65X3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS IXFH54N65X3

Na stanie magazynowym: 625

Stany magazynowe:: 625 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 41 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 625 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	47,73 zł	47,73 zł
	29,71 zł	297,10 zł
	29,11 zł	3 493,20 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Tryb kanału:	Enhancement
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	7 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	23 S
Id – Ciągły prąd drenu:	54 A
Styl mocowania:	Through Hole
Liczba kanałów:	1 Channel
Pd – strata mocy:	625 W
Qg – ładunek bramki:	49 nC
Rds On – rezystancja dren–źródło:	59 mOhms
Czas narastania:	10 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	Si
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	56 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	23 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.2 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IXFH54N65X3 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.