IS66WV51216EBLL-55TLI

ISSI
870-66WV512EBLL55TLI
IS66WV51216EBLL-55TLI

Produc.:

Opis:
SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 733

Stany magazynowe:
1 733 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 28
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
14,19 zł 14,19 zł
13,24 zł 132,40 zł
12,81 zł 320,25 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ISSI
Kategoria produktów: SRAM
RoHS:  
8 Mbit
512 k x 16
55 ns
Parallel
3.6 V
2.5 V
28 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
Marka: ISSI
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: SRAM
Seria: IS66WV51216EBLL
Wielkość opakowania producenta: 135
Podkategoria: Memory & Data Storage
Jednostka masy: 2,870 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.