IS42S16100H-6TLI

ISSI
870-IS42S16100H-6TLI
IS42S16100H-6TLI

Produc.:

Opis:
DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 669

Stany magazynowe:
2 669 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 1298
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
8,04 zł 8,04 zł
7,53 zł 75,30 zł
7,31 zł 182,75 zł
7,18 zł 359,00 zł
7,01 zł 820,17 zł
6,79 zł 1 588,86 zł
6,62 zł 3 872,70 zł
6,49 zł 6 833,97 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ISSI
Kategoria produktów: Pamięć DRAM
RoHS:  
SDRAM
16 Mbit
16 bit
166 MHz
TSOP-II-50
1 M x 16
6 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S16100H
Marka: ISSI
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Rodzaj produktu: DRAM
Wielkość opakowania producenta: 117
Podkategoria: Memory & Data Storage
Prąd zasilania – max.: 55 mA
Jednostka masy: 520 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.