IS29GL128-70DLEB

ISSI
870-IS29GL128-70DLEB
IS29GL128-70DLEB

Produc.:

Opis:
NOR Flash 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, Lowest Sector Protected

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 2
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
25,67 zł 25,67 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ISSI
Kategoria produktów: Pamięć Flash NOR
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-64
IS29GL128
128 Mbit
2.7 V
3.6 V
45 mA
Parallel
16 M x 8/8 M x 16
8 bit/16 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 105 C
Marka: ISSI
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: NOR Flash
Prędkość: 70 ns
Wielkość opakowania producenta: 260
Podkategoria: Memory & Data Storage
Jednostka masy: 1,826 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542326100
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

SPI NOR Flash ICs

ISSI SPI NOR Flash ICs are low voltage Serial Peripheral Interface NOR Flash Memory Devices offering features such as Double Data Rate (DTR/DDR) interface modes, SFDP support, and 2-cycle instruction input (QPI mode).

IS29GL128 NOR Flash Memory Devices

ISSI IS29GL128 NOR Flash Memory Devices offer a fast page access time of 20ns with a corresponding random access time as fast as 70ns. These memory devices feature a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation. The IS29GL128 memory devices thus offer faster effective programming time than standard programming algorithms. These memory devices are ideal for embedded applications that require higher density, better performance, and low power consumption.