Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IRF540ZPBF

Name: Infineon IRF540ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF540ZPBF
Price: 2.55 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

942-IRF540ZPBF

Nr prod.:

IRF540ZPBF

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

Karta charakterystyki:

IRF540ZPBF Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IRF540ZPBF

Na stanie magazynowym: 3 898

Stany magazynowe:: 3 898

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 000

Oczekiwane: 18.03.2026

17 000

Oczekiwane: 02.04.2026
Średni czas produkcji:: 17

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2,55 zł	2,55 zł
	2,18 zł	21,80 zł
	2,03 zł	203,00 zł
	1,84 zł	920,00 zł
	1,66 zł	1 660,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	36 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	26.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	42 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	92 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IRF540ZPBF Karta charakterystyki (PDF)

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF540Z

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.