IRF540NSTRLPBF

Infineon Technologies
942-IRF540NSTRLPBF
IRF540NSTRLPBF

Produc.:

Opis:
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 13 489

Stany magazynowe:
13 489
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
9 600
Oczekiwane: 13.08.2026
Średni czas produkcji:
26
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
7,53 zł 7,53 zł
4,64 zł 46,40 zł
3,26 zł 326,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
2,10 zł 1 680,00 zł
2,08 zł 4 992,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
7,96 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Układy MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
33 A
44 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
47.3 nC
- 55 C
+ 175 C
3.8 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Infineon Technologies
Konfiguracja: Single
Rodzaj produktu: MOSFETs
Wielkość opakowania producenta: 800
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Jednostka masy: 4 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.