Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH80NE2LM7UCGS
Price: 9.89 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IQEH80NE2LM7UCGS

Nr prod.:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Na stanie magazynowym: 4 792

Stany magazynowe:: 4 792 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	9,89 zł	9,89 zł
	6,32 zł	63,20 zł
	4,29 zł	429,00 zł
	3,59 zł	1 795,00 zł
	3,16 zł	3 160,00 zł
	2,92 zł	7 300,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 6000)
	2,83 zł	16 980,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	282 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	800 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	17.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	107 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	OptiMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	2.7 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	50 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	1.4 ns
Seria:	OptiMOS 7
Wielkość opakowania producenta:	6000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	20.1 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5.4 ns
Nazwy umowne nr części:	IQEH80NE2LM7UCGSC SP006008718

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.