Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPW95R130PFD7XKSA1

Name: Infineon IPW95R130PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW95R130PFD7XKS
Price: 20.17 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPW95R130PFD7XKS

Nr prod.:

IPW95R130PFD7XKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Karta charakterystyki:

IPW95R130PFD7XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPW95R130PFD7XKSA1

Na stanie magazynowym: 400

Stany magazynowe:: 400 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	20,17 zł	20,17 zł
	13,16 zł	131,60 zł
	10,97 zł	1 097,00 zł
	10,84 zł	5 203,20 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	950 V
Id – Ciągły prąd drenu:	36.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	130 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	141 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	227 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	3.6 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	14 ns
Seria:	IPW95R130PFD7
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	118 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	25 ns
Nazwy umowne nr części:	IPW95R130PFD7 SP005547004

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPW95R130PFD7XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).