Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPTC068N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPTC068N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPTC068N20NM6ATM
Price: 26.36 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPTC068N20NM6ATM

Nr prod.:

IPTC068N20NM6ATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IPTC068N20NM6ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPTC068N20NM6ATMA1

Na stanie magazynowym: 4 681

Stany magazynowe:: 4 681 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	26,36 zł	26,36 zł
	22,10 zł	221,00 zł
	18,45 zł	1 845,00 zł
	16,25 zł	8 125,00 zł
	13,98 zł	13 980,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1800)
	13,98 zł	25 164,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	200 V
Id – Ciągły prąd drenu:	140 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	71 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	319 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	OptiMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	33 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	15 ns
Wielkość opakowania producenta:	1800
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	28 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	19 ns
Nazwy umowne nr części:	IPTC068N20NM6 SP006063004

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPTC068N20NM6ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 6

Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 6 firmy Infineon Technologies oferują najnowocześniejsze innowacje nowej generacji oraz najlepszą w swojej klasie wydajność. Rodzina OptiMOS 6 wykorzystuje technologię produkcji z cienkich wafli, co zapewnia istotne korzyści w zakresie wydajności. W porównaniu do produktów alternatywnych tranzystory mocy MOSFET OptiMOS 6 oferują niższą o 30% rezystancję R_DS(ON) i są zoptymalizowane pod kątem synchronicznej rektyfikacji.