Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPT030N12N3GATMA1

Name: Infineon IPT030N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT030N12N3GATM1
Price: 22.32 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPT030N12N3GATM1

Nr prod.:

IPT030N12N3GATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Karta charakterystyki:

IPT030N12N3GATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPT030N12N3GATMA1

Na stanie magazynowym: 2 034

Stany magazynowe:: 2 034 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	22,32 zł	22,32 zł
	15,91 zł	159,10 zł
	11,52 zł	1 152,00 zł
	11,22 zł	11 220,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	9,80 zł	19 600,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	120 V
Id – Ciągły prąd drenu:	237 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	158 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	375 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	IPT030N12N3 G SP005348026

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPT030N12N3GATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

N-kanałowe tranzystory MOSFET OptiMOS™

N-kanałowe tranzystory MOSFET OptiMOS™ firmy Infineon Technologies charakteryzują się niską rezystancją przewodzenia oraz obudową bezprzewodową typu SuperSO8. Tranzystory MOSFET OptiMOS 3 zwiększają gęstość mocy nawet do 50 procent w zastosowaniach przemysłowych, konsumenckich i telekomunikacyjnych. Moduły OptiMOS™ 3 są dostępne w wersjach 40 V, 60 V i 80 V w postaci N-kanałowych tranzystorów MOSFET, w obudowach SuperSO8 i Shrink SuperSO8 (S3O8). W porównaniu do standardowych obudów Transistor Outline (TO) obudowy SuperSO8 zwiększają gęstość mocy nawet o 50 procent.