Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPI086N10N3 G

Name: Infineon IPI086N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI086N10N3G
Price: 8.34 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPI086N10N3G

Nr prod.:

IPI086N10N3 G

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

Karta charakterystyki:

IPI086N10N3 G Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPI086N10N3 G

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 000

Oczekiwane: 05.03.2026
Średni czas produkcji:: 8

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,34 zł	8,34 zł
	4,07 zł	40,70 zł
	3,57 zł	357,00 zł
	2,80 zł	1 400,00 zł
	2,40 zł	2 400,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-262-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	8.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.7 V
Qg – ładunek bramki:	55 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	125 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	OptiMOS
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	8 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	42 ns
Seria:	OptiMOS 3
Wielkość opakowania producenta:	500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	31 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	18 ns
Nazwy umowne nr części:	SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
Jednostka masy:	2,387 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPI086N10N3 G Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.