Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPD220N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD220N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD220N06L3GATM1
Price: 4.34 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPD220N06L3GATM1

Nr prod.:

IPD220N06L3GATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs IFX FET 60V

Karta charakterystyki:

IPD220N06L3GATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPD220N06L3GATMA1

Na stanie magazynowym: 3 837

Stany magazynowe:: 3 837 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,34 zł	4,34 zł
	2,75 zł	27,50 zł
	1,82 zł	182,00 zł
	1,44 zł	720,00 zł
	1,31 zł	1 310,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,12 zł	2 800,00 zł
	1,01 zł	5 050,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	22 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	36 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Czas zanikania:	3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	16 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	3 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9 ns
Nazwy umowne nr części:	IPD220N06L3 G SP005559927

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPD220N06L3GATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-kanałowe tranzystory MOSFET OptiMOS™

N-kanałowe tranzystory MOSFET OptiMOS™ firmy Infineon Technologies charakteryzują się niską rezystancją przewodzenia oraz obudową bezprzewodową typu SuperSO8. Tranzystory MOSFET OptiMOS 3 zwiększają gęstość mocy nawet do 50 procent w zastosowaniach przemysłowych, konsumenckich i telekomunikacyjnych. Moduły OptiMOS™ 3 są dostępne w wersjach 40 V, 60 V i 80 V w postaci N-kanałowych tranzystorów MOSFET, w obudowach SuperSO8 i Shrink SuperSO8 (S3O8). W porównaniu do standardowych obudów Transistor Outline (TO) obudowy SuperSO8 zwiększają gęstość mocy nawet o 50 procent.