Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IMYH200R012M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R012M1HXK
Price: 257.87 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IMYH200R012M1HXK

Nr prod.:

IMYH200R012M1HXKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Karta charakterystyki:

IMYH200R012M1HXKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IMYH200R012M1HXKSA1

Na stanie magazynowym: 909

Stany magazynowe:: 909 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	257,87 zł	257,87 zł
	227,60 zł	2 276,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	123 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	16.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 23 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	246 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	552 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolSIC
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	AT
Kraj pochodzenia:	AT
Czas zanikania:	24 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	30 S
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	13 ns
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	16 ns
Nazwy umowne nr części:	IMYH200R012M1H SP005427368

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IMYH200R012M1HXKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFETs

Infineon Technologies 2000V CoolSiC™ MOSFETs are trench MOSFETs in a TO-247PLUS-4-HCC package. These MOSFETs are designed to deliver increased power density without sacrificing the system's reliability, even under demanding high-voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability using the .XT interconnection technology and enable top efficiencies in various applications. The 2000V MOSFETs feature a benchmark gate threshold voltage of 4.5V and offer very-low switching losses. Typical applications include energy storage systems, EV charging, string inverter, and solar power optimizer.